クアルコム、スナドラ820後継「Snapdragon 835」を発表

　米クアルコムとサムスンが次世代SoC「Snapdragon 835」をサムスンの10nm FinFETプロセスで製造すると発表した。「Snapdragon 835」搭載製品は2017年上半期に登場予定。

　10nm FinFETプロセスは現行の14nm FinFETプロセスに比べて27%の性能向上、40%の省電力化を実現できるとしている。また、最新の「Quick Charge 4.0」技術を搭載。Quick Charge 3.0に比べて20%早く、30%効率的に充電でき、5分の充電で5時間以上稼働できるとしている。

投稿者: 九嶋秀二郎 (公開日： 2016年11月19日 05:30 / 最終更新日： 2016年11月19日 05:30 )

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